Jihokorejské partnerství urychlí nástup SiC čipů pro elektromobily, obnovitelné zdroje a AI

Americká společnost Navitas Semiconductor a jihokorejská Magnachip Semiconductor Corporation oznámily strategické partnerství, jehož cílem je urychlit přijetí technologií karbidu křemíku (SiC) na trzích s vysokonapěťovou a ultra-vysokonapěťovou energií.

Americká společnost Navitas Semiconductor a jihokorejská Magnachip Semiconductor Corporation oznámily strategické partnerství, jehož cílem je urychlit přijetí technologií karbidu křemíku (SiC) na trzích s vysokonapěťovou a ultra-vysokonapěťovou energií. Tato spolupráce má potenciál zásadně ovlivnit energetickou konverzi v klíčových odvětvích.

Magnachip získá licenci na technologii GeneSiC Trench-Assisted Planar (TAP) od Navitas, což mu umožní vstoupit na trhy s vysokonapěťovými a ultra-vysokonapěťovými SiC řešeními. Licence pokrývá technologie GeneSiC pro napětí 1200 V, 2300 V, 3300 V a vyšší, čímž Magnachip může stavět na osvědčených platformách SiC zařízení od Navitas pro aplikace v příští generaci energetické konverze. Navitas zároveň poskytne Magnachipu přístup ke svému dodavatelskému řetězci a materiálům pro SiC, což podpoří rychlejší vstup na trh.

Společnosti plánují implementovat a kvalifikovat tuto technologii v jihokorejském výrobním závodě Magnachipu. Tento přístup má urychlit vstup Magnachipu na trh s SiC, přičemž bude zachována kontinuita s již zavedenou technologií a materiálovou základnou Navitas. Technologie karbidu křemíku má přímý dopad na rozvoj elektromobilů, obnovitelných zdrojů energie, datových center s umělou inteligencí a leteckého průmyslu, a tato dohoda přesahuje i tato odvětví, což naznačuje široké uplatnění a významný posun v oblasti energetických řešení.